该项研究成果以PIM-1asaMultifunctionalFrameworktoEnableHigh-PerformanceSolid-StateLithium–SulfurBatteries为题，山数据市民少跑发表在Adv.Funct.Mater上。

利用从Cu（111）表面扩散到Cu（111）-Al2O3（0001）界面的碳原子，东｜多跑东打打烊在Cu（111）-Al2O3（0001）界面生长石墨烯。企业HR-TEM图像显示在直径为3毫米的样品的不同位置获得的选定区域电子衍射图案的晶格取向表明生长的石墨烯具有高度一致的单晶结构（图3h）。

腿山ID/IG比的均匀拉曼图表明石墨烯中几乎不存在缺陷（图2c）。利用快速冷却再快速加热促使Cu（111）薄膜的剥离，山数据市民少跑而将单晶石墨烯保留在Al2O3（0001）上。Cu（110）、东｜多跑东打打烊Cu（100）和Cu（111）的每个Cu原子的堆积能分别为0.98、1.33和2.09eV，表明Cu（111）的生成在能量上是有利的（图4a、b）。

直接在Al2O3衬底上生长的石墨烯的电子迁移率平均值为6.6×103cm2V-1s-1，企业最大值达到7.4×103cm2V-1s-1。模型表面，腿山石墨烯在Cu（111）-Al2O3（0001）界面处生长的可行性（图4d）。

与转移石墨烯相比，山数据市民少跑生长在Al2O3上的石墨烯的2D峰出现蓝移（图2e），揭示了石墨烯与Al2O3的相互耦合作用。

东｜多跑东打打烊图5GFET的电子传输特性©2022SpringerNature【总结】本文展示了在蓝宝石衬底上合成无层超平面晶圆级单层单晶石墨烯。(c) NaBH4、企业Na(BH4)0.75I0.25、Na(NH2)0.5I0.5和Na(BH4)0.5(NH2)0.5的电导率与温度的关系。

在超过Ttrans时会发生有序-无序的相变，腿山高温相中高度无序的聚阴离子网络结构加上富含空位的阳离子亚晶格，腿山使得这些盐展现出极高的阳离子导电性（图4d）。Ttrans对于利用paddle-wheel机制、山数据市民少跑在较低温度下实现高离子电导率至关重要。

表征阴离子运动的技术手段核磁共振（NMR）可用于测量较宽的时间尺度内阴离子和阳离子的运动，东｜多跑东打打烊固态核磁弛豫法可获得原子跃迁频率、东｜多跑东打打烊扩散系数及相关活化能、阴阳离子运动过程中是否协同效应等信息。企业当时有人提出阳离子穿过由阴离子转动构成的旋转门时其扩散受到促进。